반도체 공정 집중과정 - Deposition
- 반도체 8대 공정 중 Deposition 공정에 집중하여 학습할 수 있는 강의로 Deposition 종류 및 공정/설비 구성, 이슈 등에 대한 전반을 학습할 수 있는 강의
| 학습시간 | 총 6차시 30일 과정 |
|---|---|
| 강사 | 하태민, 김창호, 김준호 |
| 교재 |
|
수료 조건
| 수료항목 | 수료기준 | 평가 방법 |
|---|---|---|
| 평가 |
- 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관) - 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료) ※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다. |
- 최종평가 선다형 문제 10문항 출제, 총 100점만점, 배점 각 10점(총 60% 반영) - 과제 서술형 1문항 출제, 총 100점만점, 배점 100점(총 40% 반영) |
| 진도율 |
진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능 ※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다. |
차시별 총 학습시간의 특정 시간 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다. ※ 산업안전보건교육은 90%이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다. |
학습목표
- - 공정/장비/재료/진단/설계 측면으로 반도체 산업을 이해할 수 있다.
- - Step coverage, Aspect ratio, Uniformity, Purity&Density 등 증착 공정의 중요 특성에 대해 설명할 수 있다.
- - Sputtering, Evaporation, Spin On Method 등 물리적 증착의 종류와 각 공정의 특성에 대해 알 수 있다.
- - 화학적 반응을 이용하는 Chemical vapor Deposition과 Platin
학습대상
- - 반도체 8대 공정 중 Deposition 공정에 집중하여 기본부터 심화까지 다루고 싶은 자
- - Deposition 종류 및 공정/설비 구성에 대해 이해하고자 하는 자
- - PVD/CVD 각 공정 종류 별로 주요 특성을 이해하여 공정 최적화를 위한 재료 선택 및 공정 방법을 도출하고 싶은 자
- - 최근 Deposition 공정의 이슈 및 기술 방향에 대해 인사이트를 얻고자 하는 자
강사 소개
하태민
(강사)
- 경력
- 現 국내 대학 산학 협력단 연구교수
- 現 반도체 공정실습교육 진행
- 前 반도체 기업 대표이사
- 학력
- 국내 유명 대학 전자공학과 출신
김창호
(내용전문가)
- 경력
- 전) 국내 대기업 11년 근무
- 현) 엘캠퍼스 교강사
- 학력
- 미국 Top 20 MBA 출신
김준호
(내용전문가)
- 경력
- 현) 엘캠퍼스 교강사
- 전) 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 연구원 3년
- 전) 연구 개발 담당 및 공정 프로세스 담당
- 학력
- 미국 TOP 10 대학원 출신
훈련내용
| 차시 | 차시명 | 강의시간 |
|---|---|---|
| 1차시 | (depo) 단위공정 최적화하기_What is Semiconductor? | 39분 |
| 2차시 | 박막장비 Set-Up하기_Chemical vs Physical | 43분 |
| 3차시 | (depo) 플라즈마장비 원리 파악하기_Equipment environment | 34분 |
| 4차시 | 박막장비 Set-Up하기_Chemical Process | 42분 |
| 5차시 | 박막장비 Set-Up하기_Physical process | 33분 |
| 6차시 | 단위공정 최적화하기_Damascene process | 27분 |
모사답안 처리기준
- 모사답안의 정의
- 과제·시험에서 타인의 답안을 그대로 복사하거나, 문장의 구조·핵심 표현이 동일한 상태에서 일부만 바꾸어 제출한 답안을 모사답안이라고 합니다. 인터넷·서적·강의자료의 내용을 출처 없이 그대로 옮겨 적는 경우도 포함될 수 있습니다. - 처리 원칙
- 모사답안으로 판정된 경우, 해당 평가의 점수는 0점 처리됩니다.
- 모사답안이 1건 이상 적발되면 해당 수강생의 전체 과정이 미수료로 처리될 수 있습니다.
- 반복·중대한 부정행위 발생 시, 해당 사업장은 최대 1년간 직업능력개발훈련비 지원이 제한될 수 있습니다.
수강 후기
반도체
최종평가 8번문제
Gate oxide에 High-k물질 사용특성이, leakage가 증가하는 건가요?
기존 oxide가 너무 얇아져서 게이트쪽 전류가 leak되어 High-K사용하므로 두께를 두껍게 사용하려는 거 아닌가 해서요...
Gate oxide에 High-k물질 사용특성이, leakage가 증가하는 건가요?
기존 oxide가 너무 얇아져서 게이트쪽 전류가 leak되어 High-K사용하므로 두께를 두껍게 사용하려는 거 아닌가 해서요...
반도체
알지 못했던 부분에 대해 자세하고 친절하게 설명해주셔서 감사합니다.
반도체
도움이많이됐습니다